• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
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  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括以下步驟：提供一晶圓層及一具有撓性的第一基板，第一基板一側設置有一玻璃層，將晶圓層的一側表面貼設在玻璃層上；於晶圓層背向玻璃層的一側表面上形成複數間隔的圖形化金屬層；切割晶圓層及玻璃層，從而形成發光二極體晶粒；拉伸第一基板，使發光二極體晶粒相互分離；提供一側表面形成有電路結構的一第二基板，使晶粒的金屬層與第二基板的電路結構電性連接並使晶粒固定於第二基板一側；移除第一基板，形成複數發光二極體粗胚；封裝粗胚，使第二基板一側形成一完全覆蓋所述晶粒的封裝層。
    公开号:TW201310718A
    申请号:TW100132175
    申请日:2011-09-07
    公开日:2013-03-01
    发明作者:Hsing-Fen Lo
    申请人:Advanced Optoelectronic Tech；
    IPC主号:H01L2224-00
    专利说明:
    發光二極體封裝結構的製造方法
    本發明涉及一種半導體發光元件的製造方法，特別涉及一種發光二極體封裝結構的製造方法。
    一般的發光元件例如發光二極體封裝結構都需要經複數製造步驟後形成單個顆粒，再應用到各個領域，例如顯示、照明等。
    發光二極體封裝結構的製造過程通常都包括磊晶、切割、封裝等工藝流程。在封裝階段，通常先在一個基板的表面上設置固晶膠，再將發光二極體晶粒逐個固著於上述固晶膠上。批量封裝發光二極體時，必須重複上述步驟再接著進行後續其他工藝流程。
    上述封裝過程中，需要重複實施形成固晶膠及固定發光二極體晶粒的步驟，造成封裝的時間冗長而降低效率。因此，如何提供一種更加高效的發光二極體封裝結構的製造方法仍是業界需要解決的一個課題。
    有鑒於此，有必要提供一種更加高效的發光二極體封裝結構的製造方法。
    一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括以下步驟：
    提供一晶圓層及一具有撓性的第一基板，所述第一基板一側設置有一玻璃層，將所述晶圓層的一側表面貼設在所述玻璃層上；
    於所述晶圓層背向玻璃層的一側表面上形成複數間隔的圖形化金屬層；
    切割所述晶圓層及玻璃層，從而形成複數發光二極體晶粒；
    拉伸所述第一基板，使得所述發光二極體晶粒相互分離；
    提供一側表面形成有電路結構的一第二基板，使晶粒的金屬層與第二基板的電路結構電性連接並使晶粒固定於第二基板一側；
    移除所述第一基板，形成複數發光二極體粗胚；
    封裝所述粗胚，使第二基板一側形成一完全覆蓋所述晶粒的封裝層。
    與習知技術相比，本發明利用具有撓性的第一基板同時固定複數晶粒，以協助這些晶粒同時與第二基板的電路結構導電連接，簡化了工藝流程，提升了製造效率。
    以下將結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。
    圖1示出了本發明一實施例的發光二極體封裝結構的製造過程的流程。該發光二極體封裝結構的製造方法大致包括如下流程：
    提供一晶圓層及一撓性的第一基板，所述第一基板一側設置有一玻璃層，將所述晶圓層的一側表面貼設在所述玻璃層上；
    於所述晶圓層相背玻璃層的一側表面上形成圖形化金屬層；
    切割所述晶圓層及玻璃層，從而形成複數發光二極體晶粒；
    拉伸所述第一基板，使所述第一基板彈性擴展而使得所述發光二極體晶粒相互分離；
    提供一側表面形成電路結構的一第二基板，使晶粒的金屬層與第二基板的電路結構電性連接並使晶粒固定於第二基板一側；
    移除所述第一基板，形成複數發光二極體粗胚；
    封裝所述粗胚，使第二基板一側形成一完全覆蓋所述晶粒的封裝層。
    下面結合其他圖示對該流程作詳細說明。
    請同時參考圖2至圖4，首先，提供一晶圓層11及一撓性的第一基板20。該晶圓層11為氮化鎵材料且生長在一襯底10上。所述第一基板20的一表面上嵌設有一玻璃層21。將所述晶圓層11藉由黏接等方式貼設在所述玻璃層21上，然後移除所述襯底10。所述玻璃層21的尺寸大於所述晶圓層11的尺寸，並且玻璃層21四周的邊界均超出晶圓層11的邊界。
    請同時參閱圖5，然後在晶圓層11的背離玻璃層21的表面上形成圖形化金屬層30。這些金屬層30藉由電鍍、濺鍍等方式形成於所述晶圓層11的表面上，做為發光二極體的電極使用。
    請同時參閱圖6及圖7，對晶圓層11及玻璃層21進行切割，從而形成複數發光二極體晶粒12。每一發光二極體晶粒12具有相應數量的金屬層30。本實施例中，所述玻璃層21在與晶圓層11結合前就被預先切割成複數單獨的玻璃體212，從而使在切割晶圓層11時，沿著所述玻璃體212的對應的邊界進行即可。可以理解，在其他實施例中，所述玻璃層21也可不預先切割，使其與晶圓層11一同切割便可。
    接下來拉伸所述第一基板20，使第一基板20彈性擴展而使得所述發光二極體晶粒12沿第一基板20拉伸的方向上相互分離。
    請參閱圖8及圖9，提供一側表面形成有電路結構41的一第二基板40，使晶粒12的金屬層30與第二基板40的電路結構41藉由導電膠（圖未示）電性連接並使晶粒12固定於第二基板40一側。然後移除所述第一基板20，從而形成複數發光二極體粗胚。
    請參閱圖10，最後封裝所述粗胚，使第二基板40一側形成一完全覆蓋所述晶粒12的封裝層50。
    本發明利用具有撓性的第一基板20同時固定複數晶粒12，以協助這些晶粒12同時與第二基板40的電路結構41導電連接，簡化了工藝流程，提升了製造效率。
    所述發光二極體可設置螢光粉層60（見圖11），所述螢光粉層60塗覆在所述玻璃層21與晶圓層11相對的一側表面上，且形成於玻璃層21與晶圓層11結合之前。可以理解地，螢光粉層60a（見圖12）也可塗覆在玻璃層21與第一基板20之間，並形成在所述玻璃層21與所述晶圓層11結合之前；螢光粉層60b（見圖13）也可以於封裝步驟後塗覆於封裝層50表面；螢光粉層60c（見圖14）也可在封裝時混合形成於封裝層50內。
    另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
    10．．．襯底
    11．．．晶圓層
    12．．．發光二極體晶粒
    20．．．第一基板
    21．．．玻璃層
    30．．．金屬層
    40．．．第二基板
    41．．．電路結構
    50．．．封裝層
    60、60a、60b、60c．．．螢光粉層
    212．．．玻璃體
    圖1為本發明一實施例的發光二極體製造方法的工藝流程圖。
    圖2至圖14為本發明一實施例的發光二極體製造方法的各步驟示意圖。
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括以下步驟：提供一晶圓層及一具有撓性的第一基板，所述第一基板一側設置有一玻璃層，將所述晶圓層的一側表面貼設在所述玻璃層上；於所述晶圓層背向玻璃層的一側表面上形成複數間隔的圖形化金屬層；切割所述晶圓層及玻璃層，從而形成複數發光二極體晶粒；拉伸所述第一基板，使得所述發光二極體晶粒相互分離；提供一側表面形成有電路結構的一第二基板，使晶粒的金屬層與第二基板的電路結構電性連接並使晶粒固定於第二基板一側；移除所述第一基板，形成複數發光二極體粗胚；封裝所述粗胚，使第二基板一側形成一完全覆蓋所述晶粒的封裝層。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：於切割晶圓層之前，所述玻璃層被預先切割成複數單獨的玻璃體。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述玻璃層與所述晶圓層結合之前，所述玻璃層與晶圓層相對的一側表面塗覆有螢光粉層。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述玻璃層與所述晶圓層結合之前，所述玻璃層與第一基板之間塗覆有螢光粉層。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：於封裝步驟後，所述封裝層表面塗覆有螢光粉層。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：在封裝時，所述封裝層內混合形成有螢光粉層。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述晶圓層自一襯底一側表面形成，晶圓層與玻璃層結合後，所述襯底被移除。
    [8] 如申請專利範圍第1項述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述晶圓層為氮化鎵材料。
    [9] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述圖形化金屬層藉由電鍍或濺鍍的方式形成於晶圓層上。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述電路結構與所述圖形化金屬層藉由導電膠電性連接。
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